數字式太陽能級硅晶體少子壽命測試儀LT-200數字式太陽能級硅晶體少子壽命測試儀LT-200

LT-200數字式太陽能級硅晶體少子壽命測試儀簡介
1. 儀器應用范圍及說明
本(ben)設備是按照(zhao) 標準GB/T1553“硅(gui)單(dan)(dan)晶少數載流子壽命測(ce)定的(de)(de)(de)高頻光電(dian)導(dao)衰減法(fa)”設計(ji)制造。高頻光電(dian)導(dao)衰減法(fa)在我(wo)國半(ban)導(dao)體集成電(dian)路、晶體管、整流器件、核探(tan)器行業已(yi)運用(yong)了三(san)十多年，積(ji)累(lei)了豐富的(de)(de)(de)使用(yong)經驗，經過數次全國十多個單(dan)(dan)位(wei)巡回測(ce)試的(de)(de)(de)考(kao)驗，證明是一種成熟(shu)可靠的(de)(de)(de)測(ce)試方(fang)法(fa)，特別(bie)適(shi)合于硅(gui)塊(kuai)、硅(gui)棒的(de)(de)(de)少子體壽命測(ce)量；也可對硅(gui)片進行測(ce)量，給出相(xiang)對壽命值(zhi)。方(fang)法(fa)本(ben)身對樣品表面的(de)(de)(de)要求為研磨面，因(yin)此制樣特別(bie)簡便。

數字式太陽能級硅晶體少子壽命測試儀
昆德公司數字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點：
可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數載流子體壽命。表面無需拋光，直接對切割面或研磨面進行測量，儀器可按需方提供的有標稱值的校準樣品調試壽命值。
1.1 可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數載流子的相對壽命，表面無需拋光、鈍化。
1.2 液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時在線顯示光電導衰退波形。
1.3 配置的紅外光源：0.904～0.905μm波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強較強，有利于測量低阻太陽能級硅晶體少數載流子體壽命，脈沖功率30W。
1.4 專門為消(xiao)除陷進效(xiao)應(ying)增加了紅外低光(guang)照。

1.5 測量范圍寬廣
測試儀可直接測量：
a、研磨或切割面：電阻率≥0.5Ω?cm的單晶硅棒、定向結晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。
b、拋光面：電阻率在0.5～0.01Ω?cm范圍內的硅單晶、鍺單晶厚度小于1mm的拋光片。
2. 設備技術要求及性能指標
2.1 少子壽命測試范圍：0.5μs~6000μs
2.2 樣品的電阻率范圍：ρ﹥0.1Ω·cm（非回爐料）
2.3 測試速度：1分鐘/片
2.4 紅外光源波長： 0.904～0.905μm
2.5 高頻振蕩源：用石英諧振器，振蕩頻率：30MHZ
2.6 前置放大器，放大倍數約25，頻寬2HZ-2MHZ
2.7 可測單晶尺寸：斷面豎測：
直徑25mm-150mm；厚度2mm-500mm
縱向臥測：直徑5mm-20mm；長度50mm-200mm
2.8 測量方式：采用數字示波器直接讀數方式
2.9 測試分辨率：數字存儲示波器zui小分辨率0.01μs
2.10 設備重量：20 Kg
2.11 儀器(qi)電(dian)源(yuan)：電(dian)源(yuan)電(dian)壓(ya)類型：單相210～230V,50Hz,帶電(dian)源(yuan)隔離、濾(lv)波、穩壓(ya)，不能與未做保護措施的大(da)功率(lv)、高頻設備共用電(dian)源(yuan)

為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量，特按照國標GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導法研制出了數字式少子壽命測試儀。
該設備是按照 標準GB/T1553“硅單晶少數載流子壽命測定的高頻光電導衰減法”設計制造。高頻光電導衰減法在我國半導體集成電路、晶體管、整流器件、核探測器行業已運用了三十多年，積累了豐富的使用經驗，經過數次全國十多個單位巡回測試的考驗，證明是一種成熟可靠的測試方法，特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測量；也可對硅片進行測量，給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面，制樣簡便。

DZ-LT-100C數字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點：
1、 可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數載流子體壽命。表面無需拋光，直接對切割面或研磨面進行測量。同時可測量多晶硅檢驗棒及集成電路、整流器、晶體管級硅單晶的少子壽命。
2、 可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數載流子的相對壽命，表面無需拋光、鈍化。
3、配備軟件的數字示波器，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時顯示動態光電導衰退波形，并可聯用打印機及計算機。
4、配置兩種波長的紅外光源：
a、紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準確測量晶體少數載流子體壽命。
b、短波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強較強，有利于測量低阻太陽能級硅晶體。
5、測量范圍寬廣
測試儀可直接測量：
a、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω?㎝的單晶硅棒、定向結晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。
b、拋光(guang)面：電阻率在0.3～0.01Ω?㎝范圍內的硅單晶、鍺單晶拋光(guang)片。

產品名稱： 多功能全自動瀝青壓力試驗儀 產品型號： SYD-0730

 多功能全自動瀝青壓力試驗儀 型號： SYD-0730

SYD-0730型多功能全自動瀝青壓力試驗儀是根據中華人民共和國行業標準JTG E20-2011《公路工程瀝青及瀝青混合料試驗規程》中的T0709-2011《瀝青混合料馬歇爾穩定度試驗》、T0715-2011《瀝青混合料彎曲試驗》、T0716-2011《瀝青混合料劈裂試驗》規定的要求設計制造的，是檢驗瀝青混合料穩定性、流值的設備，適用于按照上述標準進行瀝青混合料的馬歇爾穩定度試驗，彎曲試驗和劈裂試驗。 

一、SYD-0730型多功能全自動瀝青壓力試驗儀主要技術特點 
1、本儀器為臺式結構，一機多用，可進行瀝青混合料的馬歇爾穩定度試驗，彎曲試驗和劈裂試驗。 
2、本儀器采用的傳感技術及微機處理技術，具有參數設置、計量校正、自動試驗控制、數據自動采集、實時時鐘等功能。 
3、本儀器對試件的穩定度和流值同時進行試驗數據采集并自動判斷峰值，大屏幕圖形液晶顯示屏直接顯示出穩定度值、流值的試驗數據及曲線圖形及試驗結果和試驗時間。 
4、儀器內部可存貯100組試驗數據及試驗時間,可隨時調出查看，全部試驗自動完成，并能自動歸位。 
5、本儀器配有RS232串行通訊口，方便與上位計算機通訊，由計算機進行數據處理、存貯、打印、顯示，也可由計算機控制，進行試驗和打印。 

二、SYD-0730型多功能全自動瀝青壓力試驗儀主要技術參數及指標 
1、zui大荷載：                 50kN，彎曲試驗5kN。 
2、傳感器測量范圍：           穩定度、劈裂傳感器測量范圍≤40kN； 
                              彎曲測量傳感器測量范圍≤4kN。 
3、過載保護：                 荷載值大于39kN（穩定度、劈裂傳感器）和3.9kN(彎曲測量傳感器)時過載保護功能。 
4、測量誤差：                 瀝青混合料穩定度測量誤差≤±0.1kN； 
                              彎曲測量誤差≤±0.01kN 
5、垂直變形（流值）測量范圍： 0～20mm。測量誤差≤±0.05mm。 
6、壓力機上升速度：           50 mm±5mm/min。 
7、通訊口：                   具有RS232串行通訊口實現與計算機通訊。 
8、工作電壓：                 AC220V±10%，50Hz。 
9、工作環境溫度：             0℃～60℃。 
10、電機功率：                550W。 
11、外形尺寸：                600mm×380mm×900mm。 
12、整機質量：          ;      98kg。

產品名稱：晶體管直流參數測試儀 產品型號：DY294

產品名稱： 材料相變分析儀  產品型號：HF-PJ-10/14  材料相變分析儀 型號：HF-PJ-10/14 材料相變分析儀采用膨脹法是用于測定金屬材料、陶瓷、耐火材料以及其它固體材料，特別是剛玉、耐火材料、精鑄用型殼及型芯材料的熱膨脹系數，材料的臨界溫度以及相變分析。為工廠、科研院校檢測金屬材料、陶瓷、釉料及無機材料制品的性能及科研教學提供*的測試手段。  主要技術參數：  1.爐溫：1000℃（1400℃），冷卻曲線溫度1000℃（1200℃），   精度：小于±1℃;   2.升溫速度：5℃/min, 可實現快速升溫，  訂貨是說明技術參數，升溫速率可設定，功率參數可自動/手動調節。  3.電源電壓：220V±10﹪，50HZ  4.功耗≤3.5KW，可配接電阻爐或感應加熱電爐加熱;  5.膨脹值測量范圍及誤差：0--5㎜±0.1%FS;  6.膨脹值指示方式：數字顯示;7.膨脹值測量分辨率：1um;  8.含真空裝置（用戶根據需要配置，真空限：0.1MPa），可控氣氛真空度在要達到10-3pa,需要在訂購時說明技術參數要求。  9.可實現膨脹系數測試，材料相變溫度測試，可實現連續冷卻曲線測試  10．式樣管為：石英，AL2O3等  11：冷卻速率:30℃/秒，100℃/秒，200℃/秒，有冷卻空氣，冷卻氣體，液氮等冷卻方式供選擇，  12：CCT曲線分析預測試，臨界溫度及連續冷卻曲線測試分析。  13：全自動分(fen)析軟(ruan)件（中文操作(zuo)界面）